IPA95R750P7XKSA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer	IPA95R750P7XKSA1
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	950V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	750 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 220µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	23nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	712pF @ 400V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	28W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	PG-TO220 Full Pack
Paket / Fall	TO-220-3 Full Pack
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
IPA95R1K2P7XKSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 950V 6A TO252	Einzelheiten
IPA95R450P7XKSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 950V 14A TO252	Einzelheiten
IPA95R750P7XKSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 950V 9A TO252	Einzelheiten