IKZ75N65EH5XKSA1

IKZ75N65EH5XKSA1 - Infineon Technologies

Numero di parte
IKZ75N65EH5XKSA1
fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
IGBT 650V 90A W/DIO TO247-4
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - IGBT - Singoli
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1 Day
Codice data
New
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Prezzo di riferimento
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IKZ75N65EH5XKSA1 Descrizione dettagliata

Numero di parte IKZ75N65EH5XKSA1
Stato parte Active
Tipo IGBT -
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 90A
Corrente - Collector Pulsed (Icm) 300A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 75A
Potenza - Max 395W
Cambiare energia 680µJ (on), 430µJ (off)
Tipo di input Standard
Carica del cancello 166nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C 26ns/347ns
Condizione di test 400V, 37.5A, 10 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) 58ns
temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-247-4
Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO247-4
Peso -
Paese d'origine -

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