IKZ75N65EH5XKSA1

IKZ75N65EH5XKSA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
IKZ75N65EH5XKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
IGBT 650V 90A W/DIO TO247-4
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
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Kategorie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
537 pcs
Referenzpreis
USD 7.41/pcs
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IKZ75N65EH5XKSA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IKZ75N65EH5XKSA1
Teilstatus Active
IGBT-Typ -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 650V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 90A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 300A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 75A
Leistung max 395W
Energie wechseln 680µJ (on), 430µJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 166nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 26ns/347ns
Testbedingung 400V, 37.5A, 10 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 58ns
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-247-4
Lieferantengerätepaket PG-TO247-4
Gewicht -
Ursprungsland -

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