F3L75R12W1H3B27BOMA1

F3L75R12W1H3B27BOMA1 - Infineon Technologies

Numero di parte
F3L75R12W1H3B27BOMA1
fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
IGBT MODULE VCES 600V 75A
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - IGBT - Moduli
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1 Day
Codice data
New
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Prezzo di riferimento
USD 47.72917/pcs
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F3L75R12W1H3B27BOMA1 Descrizione dettagliata

Numero di parte F3L75R12W1H3B27BOMA1
Stato parte Active
Tipo IGBT -
Configurazione Three Phase Inverter
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 45A
Potenza - Max 275W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 30A
Corrente - Limite del collettore (max) 1mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 4.4nF @ 25V
Ingresso Standard
Termistore NTC Yes
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso Module
Pacchetto dispositivo fornitore Module
Peso -
Paese d'origine -

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