F3L75R12W1H3B27BOMA1

F3L75R12W1H3B27BOMA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article
F3L75R12W1H3B27BOMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
IGBT MODULE VCES 600V 75A
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - IGBT - Modules
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
3447 pcs
Prix ​​de référence
USD 47.72917/pcs
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F3L75R12W1H3B27BOMA1 Description détaillée

Numéro d'article F3L75R12W1H3B27BOMA1
État de la pièce Active
Type d'IGBT -
Configuration Three Phase Inverter
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 45A
Puissance - Max 275W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 30A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 1mA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 4.4nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC Yes
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas Module
Package de périphérique fournisseur Module
Poids -
Pays d'origine -

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