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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli › BSP 51 E6327
BSP 51 E6327

BSP 51 E6327 - Infineon Technologies

Numero di parte
BSP 51 E6327
fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
TRANS NPN DARL 60V 1A SOT-223
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
BSP 51 E6327 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
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Categoria
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
5000 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.176/pcs
Il nostro prezzo
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BSP 51 E6327 Descrizione dettagliata

Numero di parte BSP 51 E6327
Stato parte Obsolete
Transistor Type NPN - Darlington
Corrente - Collector (Ic) (Max) 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.8V @ 1mA, 1A
Corrente - Limite del collettore (max) 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 2000 @ 500mA, 10V
Potenza - Max 1.5W
Frequenza - Transizione 200MHz
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso TO-261-4, TO-261AA
Pacchetto dispositivo fornitore PG-SOT223-4
Peso -
Paese d'origine -

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