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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln › BSP 51 E6327
BSP 51 E6327

BSP 51 E6327 - Infineon Technologies

Artikelnummer
BSP 51 E6327
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
TRANS NPN DARL 60V 1A SOT-223
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
BSP 51 E6327 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
5000 pcs
Referenzpreis
USD 0.176/pcs
Unser Preis
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BSP 51 E6327 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer BSP 51 E6327
Teilstatus Obsolete
Transistor-Typ NPN - Darlington
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 1A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 60V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.8V @ 1mA, 1A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 10µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 2000 @ 500mA, 10V
Leistung max 1.5W
Frequenz - Übergang 200MHz
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA
Lieferantengerätepaket PG-SOT223-4
Gewicht -
Ursprungsland -

VERWANDTE PRODUKTE FÜR BSP 51 E6327

Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
BSP 51 E6327 BSP 51 E6327 Infineon Technologies TRANS NPN DARL 60V 1A SOT-223 Einzelheiten
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