BSO215C

BSO215C - Infineon Technologies

Numero di parte
BSO215C
fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
MOSFET N/P-CH 20V 3.7A 8SOIC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Array
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
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BSO215C Descrizione dettagliata

Numero di parte BSO215C
Stato parte Obsolete
Tipo FET N and P-Channel
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 10µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.5nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 246pF @ 25V
Potenza - Max 2W
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO
Peso -
Paese d'origine -

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