BSO215C

BSO215C - Infineon Technologies

Numéro d'article
BSO215C
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
MOSFET N/P-CH 20V 3.7A 8SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Fiche technique PDF Download
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
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3548 pcs
Prix ​​de référence
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BSO215C Description détaillée

Numéro d'article BSO215C
État de la pièce Obsolete
FET Type N and P-Channel
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 3.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 10µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 11.5nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 246pF @ 25V
Puissance - Max 2W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur 8-SO
Poids -
Pays d'origine -

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