BSG0811NDATMA1

BSG0811NDATMA1 - Infineon Technologies

Numero di parte
BSG0811NDATMA1
fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A 8TISON
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Array
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1 Day
Codice data
New
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Prezzo di riferimento
USD 0.9931/pcs
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BSG0811NDATMA1 Descrizione dettagliata

Numero di parte BSG0811NDATMA1
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Caratteristica FET Logic Level Gate, 4.5V Drive
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 19A, 41A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.4nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 12V
Potenza - Max 2.5W
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-PowerTDFN
Pacchetto dispositivo fornitore PG-TISON-8
Peso -
Paese d'origine -

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