BSG0811NDATMA1

BSG0811NDATMA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article
BSG0811NDATMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A 8TISON
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
BSG0811NDATMA1 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
BSG0811NDATMA1.pdf
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
26200 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.9931/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour BSG0811NDATMA1

BSG0811NDATMA1 Description détaillée

Numéro d'article BSG0811NDATMA1
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET Caractéristique Logic Level Gate, 4.5V Drive
Drain à la tension de source (Vdss) 25V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 19A, 41A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.4nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 12V
Puissance - Max 2.5W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-PowerTDFN
Package de périphérique fournisseur PG-TISON-8
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR BSG0811NDATMA1