BSC046N02KSGAUMA1 - Infineon Technologies

Numero di parte	BSC046N02KSGAUMA1
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	19A (Ta), 80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.6 mOhm @ 50A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 110µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	27.6nC @ 4.5V
Vgs (massimo)	±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	4100pF @ 10V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.8W (Ta), 48W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TDSON-8
Pacchetto / caso	8-PowerTDFN
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
BSC046N02KS G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 20V 80A TDSON-8	Dettagli
BSC046N02KSG	INFINEON	BSC046N02KSG INFINEON SOP-8 New Original Stocks	Dettagli
BSC046N02KSGAUMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 20V 80A TDSON-8	Dettagli
BSC046N10NS3GATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8	Dettagli