BSC046N02KSGAUMA1 detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
BSC046N02KSGAUMA1 |
Teilstatus |
Active |
FET Typ |
N-Channel |
Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
20V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
19A (Ta), 80A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) |
2.5V, 4.5V |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
4.6 mOhm @ 50A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
1.2V @ 110µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
27.6nC @ 4.5V |
Vgs (Max) |
±12V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
4100pF @ 10V |
FET-Eigenschaft |
- |
Verlustleistung (Max) |
2.8W (Ta), 48W (Tc) |
Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Lieferantengerätepaket |
PG-TDSON-8 |
Paket / Fall |
8-PowerTDFN |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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