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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Singoli › BSC016N06NSTATMA1
BSC016N06NSTATMA1

BSC016N06NSTATMA1 - Infineon Technologies

Numero di parte
BSC016N06NSTATMA1
fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
DIFFERENTIATED MOSFETS
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
BSC016N06NSTATMA1 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
109732 pcs
Prezzo di riferimento
USD 1.50044/pcs
Il nostro prezzo
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BSC016N06NSTATMA1 Descrizione dettagliata

Numero di parte BSC016N06NSTATMA1
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 31A (Ta), 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.3V @ 95µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 95nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6500pF @ 30V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta), 167W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PG-TDSON-8 FL
Pacchetto / caso 8-PowerTDFN
Peso -
Paese d'origine -

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