BSC016N06NSTATMA1

BSC016N06NSTATMA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article
BSC016N06NSTATMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
DIFFERENTIATED MOSFETS
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
109732 pcs
Prix ​​de référence
USD 1.50044/pcs
Notre prix
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BSC016N06NSTATMA1 Description détaillée

Numéro d'article BSC016N06NSTATMA1
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 31A (Ta), 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.3V @ 95µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 95nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6500pF @ 30V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 3W (Ta), 167W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur PG-TDSON-8 FL
Paquet / cas 8-PowerTDFN
Poids -
Pays d'origine -

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