2N7002DWH6327XTSA1 - Infineon Technologies

Numero di parte: 2N7002DWH6327XTSA1
fabbricante: Infineon Technologies
Breve descrizione: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Stato senza piombo / Stato RoHS: Senza piombo / RoHS
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Categoria: Transistor - FET, MOSFET - Array
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Codice data: New
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Numero di parte	2N7002DWH6327XTSA1
Stato parte	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	300mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.6nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	20pF @ 25V
Potenza - Max	500mW
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-SOT363-6
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
2N7002	STMicroelectronics	MOSFET N-CH 60V 0.2A SOT-23-3	Dettagli
2N7002 BK	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23	Dettagli
2N7002 L6327	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23	Dettagli
2N7002 TR	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23	Dettagli
2N7002 TR13	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23	Dettagli
2N7002,215	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23	Dettagli
2N7002,235	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB	Dettagli
2N7002-01	DIODES	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR	Dettagli
2N7002-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3	Dettagli
2N7002-7-F	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3	Dettagli