2N7002DWH6327XTSA1

2N7002DWH6327XTSA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article
2N7002DWH6327XTSA1
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
52500 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.0577/pcs
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2N7002DWH6327XTSA1 Description détaillée

Numéro d'article 2N7002DWH6327XTSA1
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 300mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 0.6nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 20pF @ 25V
Puissance - Max 500mW
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Package de périphérique fournisseur PG-SOT363-6
Poids -
Pays d'origine -

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