| Numero di parte | MURTA400120R |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
| Tipo diodo | Standard |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
| Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | 200A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.6V @ 200A |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 25µA @ 1200V |
| Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / caso | Three Tower |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Three Tower |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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MURT10005 | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 50V 100A 3TOWER | Dettagli |
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MURT10005R | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 50V 100A 3TOWER | Dettagli |
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MURT10010 | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 100V 100A 3TOWER | Dettagli |
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MURT10010R | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 100V 100A 3TOWER | Dettagli |
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MURT10020 | GeneSiC Semiconductor | DIODE ARRAY GP 200V 100A 3TOWER | Dettagli |
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MURT10020R | GeneSiC Semiconductor | DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER | Dettagli |
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MURT10040 | GeneSiC Semiconductor | DIODE ARRAY GP 400V 100A 3TOWER | Dettagli |
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MURT10040R | GeneSiC Semiconductor | DIODE ARRAY GP REV POLAR3TOWER | Dettagli |
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MURT10060 | GeneSiC Semiconductor | DIODE ARRAY GP 600V 100A 3TOWER | Dettagli |
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MURT10060R | GeneSiC Semiconductor | DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER | Dettagli |
