| Número de pieza | MURTA400120R |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Configuración de Diodo | 1 Pair Common Anode |
| Tipo de diodo | Standard |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
| Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo) | 200A |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 2.6V @ 200A |
| Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | - |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 25µA @ 1200V |
| Temperatura de funcionamiento - unión | -55°C ~ 150°C |
| Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Paquete / caja | Three Tower |
| Paquete de dispositivo del proveedor | Three Tower |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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MURT10005 | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 50V 100A 3TOWER | Detalles |
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MURT10005R | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 50V 100A 3TOWER | Detalles |
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MURT10010R | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 100V 100A 3TOWER | Detalles |
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MURT10020 | GeneSiC Semiconductor | DIODE ARRAY GP 200V 100A 3TOWER | Detalles |
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MURT10040 | GeneSiC Semiconductor | DIODE ARRAY GP 400V 100A 3TOWER | Detalles |
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MURT10040R | GeneSiC Semiconductor | DIODE ARRAY GP REV POLAR3TOWER | Detalles |
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MURT10060 | GeneSiC Semiconductor | DIODE ARRAY GP 600V 100A 3TOWER | Detalles |
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MURT10060R | GeneSiC Semiconductor | DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER | Detalles |
