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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Diodi - Raddrizzatori - Array › MBR60035CTR
MBR60035CTR

MBR60035CTR - GeneSiC Semiconductor

Numero di parte
MBR60035CTR
fabbricante
GeneSiC Semiconductor
Breve descrizione
DIODE MODULE 35V 300A 2TOWER
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
MBR60035CTR Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
MBR60035CTR.pdf
Categoria
Diodi - Raddrizzatori - Array
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
326 pcs
Prezzo di riferimento
USD 80.072/pcs
Il nostro prezzo
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MBR60035CTR Descrizione dettagliata

Numero di parte MBR60035CTR
Stato parte Active
Configurazione diodi 1 Pair Common Anode
Tipo diodo Schottky
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) 35V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 300A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 750mV @ 300A
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) -
Corrente - Perdita inversa @ Vr 1mA @ 20V
Temperatura operativa - Giunzione -
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso Twin Tower
Pacchetto dispositivo fornitore Twin Tower
Peso -
Paese d'origine -

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