| Numero di parte | MBR600150CT |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
| Tipo diodo | Schottky |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
| Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | 300A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 880mV @ 300A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 3mA @ 150V |
| Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / caso | Twin Tower |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Twin Tower |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
|
MBR600100CT | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 100V 300A 2TOWER | Dettagli |
|
MBR600100CTR | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 100V 300A 2TOWER | Dettagli |
|
MBR600150CT | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 150V 300A 2 TOWER | Dettagli |
|
MBR600150CTR | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 150V 300A 2 TOWER | Dettagli |
|
MBR600200CT | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER | Dettagli |
|
MBR600200CTR | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER | Dettagli |
|
MBR60020CT | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 20V 300A 2TOWER | Dettagli |
|
MBR60020CTL | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 20V 300A 2 TOWER | Dettagli |
|
MBR60020CTR | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 20V 300A 2TOWER | Dettagli |
|
MBR60020CTRL | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 20V 300A 2 TOWER | Dettagli |
