GA50JT06-258 - GeneSiC Semiconductor

Numero di parte	GA50JT06-258
Stato parte	Active
Tipo FET	-
Tecnologia	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	-
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (massimo)	-
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	769W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 50A
temperatura di esercizio	-55°C ~ 225°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-258
Pacchetto / caso	TO-258-3, TO-258AA
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
GA50JT06-258	GeneSiC Semiconductor	TRANS SJT 600V 100A	Dettagli
GA50JT12-247	GeneSiC Semiconductor	TRANS SJT 1.2KV 50A	Dettagli
GA50JT12-263	GeneSiC Semiconductor	TRANSISTOR 1200V 100A TO263-7	Dettagli
GA50JT17-247	GeneSiC Semiconductor	TRANS SJT 1.7KV 100A	Dettagli
GA50K6A1A	TE Connectivity Measurement Specialties	NTC THERMISTOR 50K OHM 0.1C BEAD	Dettagli
GA50SICP12-227	GeneSiC Semiconductor	SIC CO-PACK SJT/RECT 50A 1.2KV	Dettagli
GA50TS120K	EXSHINE	Short Circuit Rated Ultra-FastTM Speed IGBT	Dettagli
GA50TS120L	IR	GA50TS120L IR SMD or Through Hole New Original Stocks	Dettagli
GA50TS120U	IR	GA50TS120U IR SMD or Through Hole New Original Stocks	Dettagli