Numero di parte | 2N7638-GA |
---|---|
Stato parte | Active |
Tipo FET | - |
Tecnologia | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8A (Tc) (158°C) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 720pF @ 35V |
Vgs (massimo) | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 200W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170 mOhm @ 8A |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 225°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-276 |
Pacchetto / caso | TO-276AA |
Peso | - |
Paese d'origine | - |