IRLR110ATF

IRLR110ATF - Fairchild/ON Semiconductor

Numero di parte
IRLR110ATF
fabbricante
Fairchild/ON Semiconductor
Breve descrizione
MOSFET N-CH 100V 4.7A DPAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Codice data
New
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IRLR110ATF Descrizione dettagliata

Numero di parte IRLR110ATF
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.7A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 235pF @ 25V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 22W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 440 mOhm @ 2.35A, 5V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore D-Pak
Pacchetto / caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso -
Paese d'origine -

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