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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Singoli › FQI13N06LTU
FQI13N06LTU

FQI13N06LTU - Fairchild/ON Semiconductor

Numero di parte
FQI13N06LTU
fabbricante
Fairchild/ON Semiconductor
Breve descrizione
MOSFET N-CH 60V 13.6A I2PAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
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Scarica il PDF della scheda tecnica
FQI13N06LTU.pdf
Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
4079 pcs
Prezzo di riferimento
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FQI13N06LTU Descrizione dettagliata

Numero di parte FQI13N06LTU
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 13.6A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.4nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 350pF @ 25V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 3.75W (Ta), 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110 mOhm @ 6.8A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore I2PAK
Pacchetto / caso TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Peso -
Paese d'origine -

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