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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Singoli › FQI11N40TU
FQI11N40TU

FQI11N40TU - Fairchild/ON Semiconductor

Numero di parte
FQI11N40TU
fabbricante
Fairchild/ON Semiconductor
Breve descrizione
MOSFET N-CH 400V 11.4A I2PAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
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Scarica il PDF della scheda tecnica
FQI11N40TU.pdf
Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
3514 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0/pcs
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FQI11N40TU Descrizione dettagliata

Numero di parte FQI11N40TU
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 400V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 11.4A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1400pF @ 25V
Vgs (massimo) ±30V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 3.13W (Ta), 147W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 480 mOhm @ 5.7A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore I2PAK
Pacchetto / caso TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Peso -
Paese d'origine -

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