FQB47P06TM_AM002 - Fairchild/ON Semiconductor

Numero di parte	FQB47P06TM_AM002
Stato parte	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	47A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	110nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3600pF @ 25V
Vgs (massimo)	±25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3.75W (Ta), 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	26 mOhm @ 23.5A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	D²PAK (TO-263AB)
Pacchetto / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
FQB47P06	FSC	FQB47P06 FSC TO-263 New Original Stocks	Dettagli
FQB47P06TM-AM002	ON Semiconductor	MOSFET P-CH 60V 47A D2PAK	Dettagli
FQB47P06TM_AM002	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET P-CH 60V 47A D2PAK	Dettagli