FQB47P06TM_AM002 - Fairchild/ON Semiconductor

Numéro d'article	FQB47P06TM_AM002
État de la pièce	Active
FET Type	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	47A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	110nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3600pF @ 25V
Vgs (Max)	±25V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	3.75W (Ta), 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	26 mOhm @ 23.5A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	D²PAK (TO-263AB)
Paquet / cas	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
FQB47P06	FSC	FQB47P06 FSC TO-263 New Original Stocks	Détails
FQB47P06TM-AM002	ON Semiconductor	MOSFET P-CH 60V 47A D2PAK	Détails
FQB47P06TM_AM002	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET P-CH 60V 47A D2PAK	Détails