FQA11N90 - Fairchild/ON Semiconductor

Numero di parte	FQA11N90
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	900V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	11.4A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	94nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3500pF @ 25V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	960 mOhm @ 5.7A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-3P
Pacchetto / caso	TO-3P-3, SC-65-3
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
FQA10N60C	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V 10A TO-3P	Dettagli
FQA10N80	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 800V 9.8A TO-3P	Dettagli
FQA10N80C	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P	Dettagli
FQA10N80C-F109	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P	Dettagli
FQA10N80C_F109	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P	Dettagli
FQA10N80_F109	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 800V 9.8A TO-3P	Dettagli
FQA11N90	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 900V 11.4A TO-3P	Dettagli
FQA11N90-F109	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 900V 11.4A TO-3P	Dettagli
FQA11N90C	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P	Dettagli
FQA11N90C-F109	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P	Dettagli