FQA11N90 - Fairchild/ON Semiconductor

Artikelnummer	FQA11N90
Teilstatus	Obsolete
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	900V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	11.4A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	94nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3500pF @ 25V
Vgs (Max)	±30V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	300W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	960 mOhm @ 5.7A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-3P
Paket / Fall	TO-3P-3, SC-65-3
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
FQA10N60C	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V 10A TO-3P	Einzelheiten
FQA10N80	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 800V 9.8A TO-3P	Einzelheiten
FQA10N80C	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P	Einzelheiten
FQA10N80C-F109	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P	Einzelheiten
FQA10N80C_F109	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P	Einzelheiten
FQA10N80_F109	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 800V 9.8A TO-3P	Einzelheiten
FQA11N90	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 900V 11.4A TO-3P	Einzelheiten
FQA11N90-F109	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 900V 11.4A TO-3P	Einzelheiten
FQA11N90C	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P	Einzelheiten
FQA11N90C-F109	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P	Einzelheiten