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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, pre-polarizzati › FJV3109RMTF
FJV3109RMTF

FJV3109RMTF - Fairchild/ON Semiconductor

Numero di parte
FJV3109RMTF
fabbricante
Fairchild/ON Semiconductor
Breve descrizione
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
FJV3109RMTF Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
FJV3109RMTF.pdf
Categoria
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, pre-polarizzati
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
3902 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0/pcs
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FJV3109RMTF Descrizione dettagliata

Numero di parte FJV3109RMTF
Stato parte Obsolete
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Corrente - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V
Resistore - Base (R1) (Ohm) 4.7k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohm) -
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA
Corrente - Limite del collettore (max) 100nA (ICBO)
Frequenza - Transizione 250MHz
Potenza - Max 200mW
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23-3 (TO-236)
Peso -
Paese d'origine -

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