| Artikelnummer | FJV3109RMTF |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| Transistor-Typ | NPN - Pre-Biased |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 100mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 40V |
| Widerstand - Basis (R1) (Ohm) | 4.7k |
| Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) | - |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
| Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Frequenz - Übergang | 250MHz |
| Leistung max | 200mW |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-23-3 (TO-236) |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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