Numero di parte | FDR8508P |
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Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52 mOhm @ 3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 750pF @ 15V |
Potenza - Max | 800mW |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SMD, Gull Wing |
Pacchetto dispositivo fornitore | SuperSOT™-8 |
Peso | - |
Paese d'origine | - |