FDR8508P

FDR8508P - Fairchild/ON Semiconductor

Numero di parte
FDR8508P
fabbricante
Fairchild/ON Semiconductor
Breve descrizione
MOSFET 2P-CH 30V 3A SSOT-8
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Array
Tempo di consegna
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Codice data
New
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FDR8508P Descrizione dettagliata

Numero di parte FDR8508P
Stato parte Obsolete
Tipo FET 2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 52 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 750pF @ 15V
Potenza - Max 800mW
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-SMD, Gull Wing
Pacchetto dispositivo fornitore SuperSOT™-8
Peso -
Paese d'origine -

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