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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Singoli › FDI150N10
FDI150N10

FDI150N10 - Fairchild/ON Semiconductor

Numero di parte
FDI150N10
fabbricante
Fairchild/ON Semiconductor
Breve descrizione
MOSFET N-CH 100V 57A I2PAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
FDI150N10 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
2000 pcs
Prezzo di riferimento
USD 2.15/pcs
Il nostro prezzo
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FDI150N10 Descrizione dettagliata

Numero di parte FDI150N10
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 57A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 69nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4760pF @ 25V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16 mOhm @ 49A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore I2PAK
Pacchetto / caso TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Peso -
Paese d'origine -

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