| Numero di parte | FDI025N06 |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 265A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 226nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 14885pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 395W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5 mOhm @ 75A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-262-3 |
| Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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FDI025N06 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 265A TO-262 | Dettagli |
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FDI030N06 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK | Dettagli |
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FDI038AN06A0 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 80A TO-262AB | Dettagli |
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FDI040N06 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK | Dettagli |
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FDI045N10A | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3 | Dettagli |
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FDI045N10A-F102 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3 | Dettagli |
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FDI045N10A_F102 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3 | Dettagli |
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FDI047AN08A0 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 75V 80A TO-262AB | Dettagli |
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FDI10-250Q | 3M | FM DISCONNECT FULLY NYLON INS | Dettagli |
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FDI14-187Q | 3M | FM DISCONNECT FULLY NYLON INS | Dettagli |
