EPC8004ENGR

EPC8004ENGR - EPC

Numero di parte
EPC8004ENGR
fabbricante
EPC
Breve descrizione
TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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EPC8004ENGR Descrizione dettagliata

Numero di parte EPC8004ENGR
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.4A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.36nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 45pF @ 20V
Vgs (massimo) +6V, -5V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125 mOhm @ 500mA, 5V
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore Die
Pacchetto / caso Die
Peso -
Paese d'origine -

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