EPC8002 Descrizione dettagliata
Numero di parte |
EPC8002 |
Stato parte |
Active |
Tipo FET |
N-Channel |
Tecnologia |
GaNFET (Gallium Nitride) |
Drain to Source Voltage (Vdss) |
65V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C |
2A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) |
5V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs |
- |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds |
21pF @ 32.5V |
Vgs (massimo) |
+6V, -4V |
Caratteristica FET |
- |
Dissipazione di potenza (max) |
- |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
530 mOhm @ 500mA, 5V |
temperatura di esercizio |
-40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio |
Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore |
Die |
Pacchetto / caso |
Die |
Peso |
- |
Paese d'origine |
- |
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