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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli › ZXTP2012GTA
ZXTP2012GTA

ZXTP2012GTA - Diodes Incorporated

Numero di parte
ZXTP2012GTA
fabbricante
Diodes Incorporated
Breve descrizione
TRANS PNP 60V 5.5A SOT223
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
ZXTP2012GTA Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
42500 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.4125/pcs
Il nostro prezzo
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ZXTP2012GTA Descrizione dettagliata

Numero di parte ZXTP2012GTA
Stato parte Active
Transistor Type PNP
Corrente - Collector (Ic) (Max) 5.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 500mA, 5A
Corrente - Limite del collettore (max) 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 2A, 1V
Potenza - Max 3W
Frequenza - Transizione 120MHz
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso TO-261-4, TO-261AA
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-223
Peso -
Paese d'origine -

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