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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln › ZXTP2012GTA
ZXTP2012GTA

ZXTP2012GTA - Diodes Incorporated

Artikelnummer
ZXTP2012GTA
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
TRANS PNP 60V 5.5A SOT223
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
ZXTP2012GTA PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
42500 pcs
Referenzpreis
USD 0.4125/pcs
Unser Preis
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ZXTP2012GTA detaillierte Beschreibung

Artikelnummer ZXTP2012GTA
Teilstatus Active
Transistor-Typ PNP
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 5.5A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 60V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 500mA, 5A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 20nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 2A, 1V
Leistung max 3W
Frequenz - Übergang 120MHz
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA
Lieferantengerätepaket SOT-223
Gewicht -
Ursprungsland -

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