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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - Bipolari (BJT) - Array › ZXTDB2M832TA
ZXTDB2M832TA

ZXTDB2M832TA - Diodes Incorporated

Numero di parte
ZXTDB2M832TA
fabbricante
Diodes Incorporated
Breve descrizione
TRANS NPN/PNP 20V 4.5A/3.5A 8MLP
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
ZXTDB2M832TA Navigazione online PDF
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-
Categoria
Transistor - Bipolari (BJT) - Array
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
3581 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0/pcs
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ZXTDB2M832TA Descrizione dettagliata

Numero di parte ZXTDB2M832TA
Stato parte Obsolete
Transistor Type NPN, PNP
Corrente - Collector (Ic) (Max) 4.5A, 3.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 20V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 270mV @ 125mA, 4.5A / 300mV @ 350mA, 3.5A
Corrente - Limite del collettore (max) 25nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2A, 2V / 150 @ 2A, 2V
Potenza - Max 1.7W
Frequenza - Transizione 140MHz, 180MHz
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-VDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore 8-MLP (3x2)
Peso -
Paese d'origine -

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