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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays › ZXTDB2M832TA
ZXTDB2M832TA

ZXTDB2M832TA - Diodes Incorporated

Artikelnummer
ZXTDB2M832TA
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
TRANS NPN/PNP 20V 4.5A/3.5A 8MLP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
ZXTDB2M832TA PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
4193 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
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ZXTDB2M832TA detaillierte Beschreibung

Artikelnummer ZXTDB2M832TA
Teilstatus Obsolete
Transistor-Typ NPN, PNP
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 4.5A, 3.5A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 20V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 270mV @ 125mA, 4.5A / 300mV @ 350mA, 3.5A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 25nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2A, 2V / 150 @ 2A, 2V
Leistung max 1.7W
Frequenz - Übergang 140MHz, 180MHz
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-VDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket 8-MLP (3x2)
Gewicht -
Ursprungsland -

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