ZXMC4559DN8TA - Diodes Incorporated

Numero di parte	ZXMC4559DN8TA
Stato parte	Active
Tipo FET	N and P-Channel
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	3.6A, 2.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	55 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20.4nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1063pF @ 30V
Potenza - Max	1.25W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SOP
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
ZXMC4559DN8TA	Diodes Incorporated	MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC	Dettagli
ZXMC4559DN8TC	Diodes Incorporated	MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO	Dettagli
ZXMC4A16DN8	Zetex	ZXMC4A16DN8 Zetex SOP8 New Original Stocks	Dettagli
ZXMC4A16DN8TA	Diodes Incorporated	MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC	Dettagli
ZXMC4A16DN8TC	Diodes Incorporated	MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC	Dettagli