ZXMC4559DN8TA - Diodes Incorporated

Numéro d'article	ZXMC4559DN8TA
État de la pièce	Active
FET Type	N and P-Channel
FET Caractéristique	Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss)	60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	3.6A, 2.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	55 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA (Min)
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	20.4nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1063pF @ 30V
Puissance - Max	1.25W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur	8-SOP
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
ZXMC4559DN8TA	Diodes Incorporated	MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC	Détails
ZXMC4559DN8TC	Diodes Incorporated	MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO	Détails
ZXMC4A16DN8	Zetex	ZXMC4A16DN8 Zetex SOP8 New Original Stocks	Détails
ZXMC4A16DN8TA	Diodes Incorporated	MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC	Détails
ZXMC4A16DN8TC	Diodes Incorporated	MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC	Détails