ZXMC3A16DN8TA - Diodes Incorporated

Numero di parte	ZXMC3A16DN8TA
Stato parte	Active
Tipo FET	N and P-Channel
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	4.9A, 4.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17.5nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	796pF @ 25V
Potenza - Max	1.25W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SOP
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
ZXMC3A16	ZETEX	ZXMC3A16 ZETEX SOP8 New Original Stocks	Dettagli
ZXMC3A16DN8	ZETEX	ZXMC3A16DN8 ZETEX SOP-8 New Original Stocks	Dettagli
ZXMC3A16DN8TA	Diodes Incorporated	MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC	Dettagli
ZXMC3A16DN8TC	Diodes Incorporated	MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC	Dettagli
ZXMC3A17DN8	ZETEX	ZXMC3A17DN8 ZETEX SOP8 New Original Stocks	Dettagli
ZXMC3A17DN8TA	Diodes Incorporated	MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC	Dettagli
ZXMC3A17DN8TC	Diodes Incorporated	MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC	Dettagli
ZXMC3A18DN8TA	Diodes Incorporated	MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC	Dettagli
ZXMC3A18DN8TC	ZETEXDIODES	ZXMC3A18DN8TC ZETEX/DIODES SOIC-8 New Original Stocks	Dettagli
ZXMC3AM832TA	Diodes Incorporated	MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP	Dettagli