ZXMC3A16DN8TA - Diodes Incorporated

Artikelnummer	ZXMC3A16DN8TA
Teilstatus	Active
FET Typ	N and P-Channel
FET-Eigenschaft	Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	4.9A, 4.1A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	35 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA (Min)
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	17.5nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	796pF @ 25V
Leistung max	1.25W
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket	8-SOP
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
ZXMC3A16	ZETEX	ZXMC3A16 ZETEX SOP8 New Original Stocks	Einzelheiten
ZXMC3A16DN8	ZETEX	ZXMC3A16DN8 ZETEX SOP-8 New Original Stocks	Einzelheiten
ZXMC3A16DN8TA	Diodes Incorporated	MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC	Einzelheiten
ZXMC3A16DN8TC	Diodes Incorporated	MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC	Einzelheiten
ZXMC3A17DN8	ZETEX	ZXMC3A17DN8 ZETEX SOP8 New Original Stocks	Einzelheiten
ZXMC3A17DN8TA	Diodes Incorporated	MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC	Einzelheiten
ZXMC3A17DN8TC	Diodes Incorporated	MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC	Einzelheiten
ZXMC3A18DN8TA	Diodes Incorporated	MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC	Einzelheiten
ZXMC3A18DN8TC	ZETEXDIODES	ZXMC3A18DN8TC ZETEX/DIODES SOIC-8 New Original Stocks	Einzelheiten
ZXMC3AM832TA	Diodes Incorporated	MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP	Einzelheiten