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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Singoli › ZXM62P02E6TA
ZXM62P02E6TA

ZXM62P02E6TA - Diodes Incorporated

Numero di parte
ZXM62P02E6TA
fabbricante
Diodes Incorporated
Breve descrizione
MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
ZXM62P02E6TA Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
22500 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.3168/pcs
Il nostro prezzo
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ZXM62P02E6TA Descrizione dettagliata

Numero di parte ZXM62P02E6TA
Stato parte Active
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.3A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 2.7V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.8nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 320pF @ 15V
Vgs (massimo) ±12V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200 mOhm @ 1.6A, 4.5V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23-6
Pacchetto / caso SOT-23-6
Peso -
Paese d'origine -

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