ZXM62P02E6TA - Diodes Incorporated

Numéro d'article	ZXM62P02E6TA
État de la pièce	Active
FET Type	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	2.3A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	2.7V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	700mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	5.8nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	320pF @ 15V
Vgs (Max)	±12V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	200 mOhm @ 1.6A, 4.5V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	SOT-23-6
Paquet / cas	SOT-23-6
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
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