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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - Bipolari (BJT) - Array › MMDT5451-7-F
MMDT5451-7-F

MMDT5451-7-F - Diodes Incorporated

Numero di parte
MMDT5451-7-F
fabbricante
Diodes Incorporated
Breve descrizione
TRANS NPN/PNP 160V/150V SOT363
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
MMDT5451-7-F Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
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Categoria
Transistor - Bipolari (BJT) - Array
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
90000 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.077/pcs
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MMDT5451-7-F Descrizione dettagliata

Numero di parte MMDT5451-7-F
Stato parte Active
Transistor Type NPN, PNP
Corrente - Collector (Ic) (Max) 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 160V, 150V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Corrente - Limite del collettore (max) 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V / 60 @ 10mA, 5V
Potenza - Max 200mW
Frequenza - Transizione 300MHz
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-363
Peso -
Paese d'origine -

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