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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays › MMDT5451-7-F
MMDT5451-7-F

MMDT5451-7-F - Diodes Incorporated

Artikelnummer
MMDT5451-7-F
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
TRANS NPN/PNP 160V/150V SOT363
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
MMDT5451-7-F PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
90000 pcs
Referenzpreis
USD 0.077/pcs
Unser Preis
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MMDT5451-7-F detaillierte Beschreibung

Artikelnummer MMDT5451-7-F
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN, PNP
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 200mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 160V, 150V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 50nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V / 60 @ 10mA, 5V
Leistung max 200mW
Frequenz - Übergang 300MHz
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Lieferantengerätepaket SOT-363
Gewicht -
Ursprungsland -

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