| Numero di parte | GB1200022 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| genere | - |
| Frequenza | - |
| Stabilità di frequenza | - |
| Tolleranza di frequenza | - |
| Capacità di carico | - |
| ESR (Equivalent Series Resistance) | - |
| Modalità operativa | - |
| temperatura di esercizio | - |
| Giudizi | - |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / caso | - |
| Dimensione / Dimensione | - |
| Altezza - Seduto (max) | - |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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GB1000008 | Diodes Incorporated | CRYSTAL METAL CAN DIP49S TR 1K | Dettagli |
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GB1000015 | Diodes Incorporated | CRYSTAL 10.0000MHZ 30PF TH | Dettagli |
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GB1000017 | Diodes Incorporated | CRYSTAL METAL CAN DIP49S TR 1K | Dettagli |
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GB100TS60K | IR | GB100TS60K IR SMD or Through Hole New Original Stocks | Dettagli |
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GB100XCP12-227 | GeneSiC Semiconductor | IGBT 1200V 100A SOT-227 | Dettagli |
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GB1020003 | Diodes Incorporated | CRYSTAL METAL CAN DIP49S TR 1K | Dettagli |
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GB10MPS17-247 | GeneSiC Semiconductor | SIC DIODE 1700V 10A TO-247-2 | Dettagli |
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GB10RF60K | ORIGINAL | GB10RF60K ORIGINAL SMD or Through Hole New Original Stocks | Dettagli |
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GB10SLT12-214 | GeneSiC Semiconductor | SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A | Dettagli |
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GB10SLT12-220 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220AC | Dettagli |
